文献
J-GLOBAL ID:201902291881814077
整理番号:19A2722109
高電圧ESD保護のための高保持電圧の改良LDMOS-SCR【JST・京大機械翻訳】
A Modified LDMOS-SCR with High Holding Voltage for high voltage ESD Protection
著者 (3件):
Song Wenqiang
(University of Electronic Science and Technology of China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,,Chengdu,,China)
,
Liu Zhiwei
(University of Electronic Science and Technology of China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,,Chengdu,,China)
,
Liou Juin J.
(Zhengzhou University,School of Information Engineering,,Zhengzhou,,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ISNE
ページ:
1-3
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)