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J-GLOBAL ID：202002210088020582 整理番号：20A0783828

超格子導波路を持つ変成InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs中赤外発光体の構造,電子およびルミネセンス特性に及ぼす設計と応力緩和の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide

著者 (7件)：

Chernov M. Yu.

(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., St. Petersburg 194021, Russia)

,

Solov’ev V. A.

(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., St. Petersburg 194021, Russia)

,

Komkov O. S.

(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., St. Petersburg 194021, Russia)

,

Firsov D. D.

(Department of Micro- and Nanoelectronics, St. Petersburg Electrotechnical University, 5 Professora Popova Str., St. Petersburg 197376, Russia)

,

Andreev A. D.

(A-Modelling Solutions Ltd., 11 Forster Road, Guildford GU2 9AE, United Kingdom)

,

Sitnikova A. A.

(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., St. Petersburg 194021, Russia)

,

Ivanov S. V.

(Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., St. Petersburg 194021, Russia)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 127 号： 12 ページ： 125706-125706-6 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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