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著者 (11件)：
資料名：
巻： 128 号： 4 ページ： 045305-045305-12 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002215461128737
整理番号：20A1716351
接合品質を改善するためのPEDOT:PSS/n型Si界面における熱アニール原子層堆積AlO/化学トンネル酸化物スタック層の効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlO/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality
Karim Md Enamul
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
,
Nasuno Yuki
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
,
Kuddus Abdul
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
,
Ukai Tomofumi
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
,
Kurosu Shunji
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
,
Tokuda Masahide
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
,
Fujii Yasuhiko
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
,
Hanajiri Tatsuro
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
,
Ishikawa Ryo
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
,
Ueno Keiji
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
,
Shirai Hajime
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 128 号： 4 ページ： 045305-045305-12 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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