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文献
J-GLOBAL ID:202002217813195791   整理番号:20A1872489

反応性スパッタリングにより堆積したNiO膜の電気的性質に及ぼす粒界構造とそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering
著者 (4件):
Iwata Tatsuya
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
Iwata Tatsuya
(Toyama Prefectural University, Imizu, Toyama, 9390398, Japan)
Nishi Yusuke
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 709  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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