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J-GLOBAL ID：202002220635095820 整理番号：20A0625556

組成傾斜AlGaNナノ構造:歪分布とX線回折逆空間マッピング【JST・京大機械翻訳】

Compositionally Graded AlGaN Nanostructures: Strain Distribution and X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping

著者 (10件)：

Stanchu H.

(Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P.R. China)

Stanchu H.

(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, United States)

Auf der Maur M.

(Department of Electronic Engineering, University of Rome Tor Vergata, Italy)

Kuchuk A. V.

(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, United States)

Mazur Yu. I.

(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, United States)

Sobanska M.

(Institute of Physics Polish Academy of Sciences, Poland)

Zytkiewicz Z. R.

(Institute of Physics Polish Academy of Sciences, Poland)

Wu S.

(Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P.R. China)

Wang Z.

(Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P.R. China)

Salamo G.

(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, United States)

資料名：

Crystal Growth & Design (Crystal Growth & Design)

巻： 20 号： 3 ページ： 1543-1551 発行年： 2020年
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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