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文献
J-GLOBAL ID:202002222012022423   整理番号:20A0705743

パルスレーザ蒸着により作製した層状SnSe膜に基づく二重モード電子シナプス【JST・京大機械翻訳】

A dual mode electronic synapse based on layered SnSe films fabricated by pulsed laser deposition
著者 (9件):
Chen Xinxin
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong. jiyan.dai@polyu.edu.hk)
Suen Chun-Hung
Yau Hei-Man
Zhou Feichi
Chai Yang
Tang Xiaodan
Zhou Xiaoyuan
Onofrio Nicolas
Dai Ji-Yan

資料名:
Nanoscale Advances  (Nanoscale Advances)

巻:号:ページ: 1152-1160  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5051A  ISSN: 2516-0230  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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