文献
J-GLOBAL ID:202002223452692760
整理番号:20A0838887
自立GaN基板上に成長させたドリフト層における欠陥形成に及ぼすウエハオフアングルの影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates
著者 (5件):
Shiojima Kenji
(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, 910-8507, Japan)
,
Horikiri Fumimasa
(Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Narita Yoshinobu
(Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Yoshida Takehiro
(Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Mishima Tomoyoshi
(Research Centre for Micro-Nano Technology, Hosei University, 3-11-15 Midori-cho, Koganei, Tokyo, 184-0003, Japan)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻:
257
号:
4
ページ:
e1900561
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
CODEN:
PSSBBD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)