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著者 (13件)：
資料名：
巻： 34 号： 11 ページ： 115015 (6pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002225144292854
整理番号：20A0333798
SiCナノ膜の電子構造と光学特性の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
First-principle study of electronic structure and optical properties of SiC nano films
Niu Yanan
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Niu Yanan
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Hu Huijun
(Shandong Institute of Aerospace Electronics Technology, No. 513, Aerospace Road, Gaoxin District, Yantai 264003, People’s Republic of China)
,
Zhang Wenshu
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Zhang Wenshu
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Li Jianguo
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Li Jianguo
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Qiao Liqing
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Qiao Liqing
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Dong Nan
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Dong Nan
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Han Peide
(College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79, Yingze Street, Wanbolin District, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
,
Han Peide
(Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 34 号： 11 ページ： 115015 (6pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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