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J-GLOBAL ID：202002227900489431 整理番号：20A2726769

超高速キャリア緩和があるInAs量子ドット層の横方向光電流の移動度と活性化エネルギー【JST・京大機械翻訳】

Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation

著者 (6件)：

Kumagai Naoto

(GaN Advanced Device Open Innovation Laboratory, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Nagoya, Japan)

Kumagai Naoto

(Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Japan)

Lu Xiangmeng

(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan)

Minami Yasuo

(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan)

Kitada Takahiro

(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan)

Isu Toshiro

(The Former Prof. at Center for Frontier Research of Engineering, Tokushima University, Tokushima, Japan)

資料名：

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)

巻： 126 ページ： Null 発行年： 2021年
JST資料番号： W1066A ISSN： 1386-9477 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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