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J-GLOBAL ID：202002229606305729 整理番号：20A0910399

V_OV=V_DS=0.5Vにおける無寄生チャネルとL_g=40nmを特徴とする最初の垂直積層張力歪Ge_0.98Si_0.02NGaAsFET,およびV_DS=0.5Vにおける記録G_m,max(μS/μm)/SS_SAT(MV/DEC)=8.3【JST・京大機械翻訳】

First Vertically Stacked Tensily Strained Ge_0.98Si_0.02 nGAAFETs with No Parasitic Channel and L_G = 40 nm Featuring Record I_ON = 48 μA at V_OV=V_DS=0.5V and Record G_m,max(μS/μm)/SS_SAT(mV/dec) = 8.3 at V_DS=0.5V

著者 (7件)：

Tu Chien-Te

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Huang Yu-Shiang

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Lu Fang-Liang

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Liu Hsiao-Hsuan

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Lin Chung-Yi

(National Taiwan University,Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,Taipei,Taiwan)

,

Liu Yi-Chun

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Liu C. W.

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2019 号： IEDM ページ： 29.3.1-29.3.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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