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J-GLOBAL ID：202002234241379844 整理番号：20A0910401

V_dS=-0.5V,低雑音におけるV_OV=V_Ds=-0.5V,記録G_m,maxの記録イオンを特徴とするCVDエピタクシーによる第一積層Ge_0.88Sn_0.12 pGaAsFET,3.3%の圧縮歪と高S/Dドーピング【JST・京大機械翻訳】

First Stacked Ge_0.88Sn_0.12 pGAAFETs with Cap, LG=4Onm, Compressive Strain of 3.3%, and High S/D Doping by CVD Epitaxy Featuring Record ION of 58μA at V_OV=V_DS= -0.5V, Record G_m,max of 172μS at V_DS= -0.5V, and Low Noise

著者 (7件)：

Huang Yu-Shiang

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Tsai Chung-En

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Tu Chien-Te

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Ye Hung-Yu

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Liu Yi-Chun

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Lu Fang-Liang

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

,

Liu C. W.

(National Taiwan University,Graduate Institute of Electronics Engineering,Taipei,Taiwan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2019 号： IEDM ページ： 29.5.1-29.5.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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