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著者 (6件)：
資料名：
巻： 59 号： SG ページ： SGGK16 (4pp) 発行年： 2020年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002235162359738
整理番号：20A1884396
実験結果と第一原理計算によるGaAsおよびAlAs原子層エピタキシャル成長機構の解明
Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation
Ohtsuka Nobuyuki
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Oda Masato
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Eshita Takashi
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Eshita Takashi
(Fujitsu Semiconductor Limited, Yokohama 222-0033, Japan)
,
Tanaka Ichiro
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Itoh Chihiro
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： SG ページ： SGGK16 (4pp) 発行年： 2020年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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