文献
J-GLOBAL ID:202002235254866864
整理番号:20A1235919
ガラス基板上への銅誘起結晶化を用いた四端子多結晶Ge1-xSnx薄膜トランジスタとその増進/空乏インバータへの応用
Four-terminal polycrystalline Ge1-xSnx thin-film transistors using copper-induced crystallization on glass substrates and their application to enhancement/depletion inverters
著者 (2件):
Miyazaki Ryo
(Tohoku Gakuin University, Tagajo, Miyagi 985-8537, Japan)
,
Hara Akito
(Tohoku Gakuin University, Tagajo, Miyagi 985-8537, Japan)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
5
ページ:
051008 (8pp)
発行年:
2020年05月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)