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著者 (3件)：
資料名：
巻： 2 号： 5 ページ： 1352-1357 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002239792297225
整理番号：20A1580377
二層MoS_2におけるゲート誘起キャリア蓄積に及ぼす層間積層の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS2
Maruyama Mina
(Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
,
Nagashio Kosuke
(Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, Japan)
,
Okada Susumu
(Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 5 ページ： 1352-1357 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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