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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2019 号： IPFA ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002240417694154
整理番号：20A0495679
1.2kV 19A SiCパワーMOSFETの短絡劣化とその機構に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Investigations on the Short-Circuit Degradation and its Mechanism of 1.2-KV 19-A SiC power MOSFETs
Wang J. L.
(South China University of Technology, Guangzhou,School of Electronic and Information Engineering,Guangdong,China,510000)
,
Chen Y. Q.
(Institute of the Ministry of Industry and Information Technology Guangzhou,Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory No.5 Electronics Research,Guangdong,China,510610)
,
He Z. Y.
(Institute of the Ministry of Industry and Information Technology Guangzhou,Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory No.5 Electronics Research,Guangdong,China,510610)
,
En Y. F.
(Institute of the Ministry of Industry and Information Technology Guangzhou,Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory No.5 Electronics Research,Guangdong,China,510610)
,
Xu X. B.
(South China University of Technology, Guangzhou,School of Electronic and Information Engineering,Guangdong,China,510000)
,
Huang Y.
(Institute of the Ministry of Industry and Information Technology Guangzhou,Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory No.5 Electronics Research,Guangdong,China,510610)
,
Geng K. W.
(South China University of Technology, Guangzhou,School of Electronic and Information Engineering,Guangdong,China,510000)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IPFA ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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