文献
J-GLOBAL ID:202002240988344863
整理番号:20A1436711
立方晶および六方晶炭化ケイ素結晶のピエゾ抵抗移動度モデリング【JST・京大機械翻訳】
The piezoresistive mobility modeling for cubic and hexagonal silicon carbide crystals
著者 (3件):
Sugiura Takaya
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan)
,
Takahashi Naoki
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan)
,
Nakano Nobuhiko
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
127
号:
24
ページ:
245113-245113-7
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)