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著者 (11件)：
資料名：
巻： 67 号： 4 ページ： 1660-1665 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002243646654449
整理番号：20A0899588
ガンマ線照射に耐性の電界放出画像センサの開発【JST・京大機械翻訳】
Development of a Field Emission Image Sensor Tolerant to Gamma-Ray Irradiation
Gotoh Yasuhito
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Tsuji Hiroshi
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Nagao Masayoshi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Masuzawa Tomoaki
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
,
Neo Yoichiro
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
,
Mimura Hidenori
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
,
Okamoto Tamotsu
(Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan)
,
Igari Tomoya
(Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan)
,
Akiyoshi Masafumi
(Radiation Research Center, Osaka Prefecture University, Sakai, Japan)
,
Sato Nobuhiro
(Institute for Integrated Radiation and Nuclear Science, Kyoto University, Kumatori, Japan)
,
Takagi Ikuji
(Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 4 ページ： 1660-1665 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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