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著者 (6件)：
資料名：
巻： 2019 号： PVSC ページ： 1015-1017 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002243918925631
整理番号：20A0496452
III-VI層状化合物によるエピタキシャルGaAsリフトオフ【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
Kojima Nobuaki
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Wang Yu-Cian
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Kawakatsu Kei
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Yamamoto Akio
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Ohshita Yoshio
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Yamaguchi Masafumi
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： PVSC ページ： 1015-1017 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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