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J-GLOBAL ID：202002244477973727 整理番号：20A1884618

RFマグネトロンスパッタリング法で作製したZnO多結晶薄膜の残留光電流特性に及ぼす酸素アシスト再結合の影響

Influence of oxygen assisted recombination on persistent photocurrent characteristics of ZnO polycrystalline thin films prepared by RF magnetron sputtering

著者 (6件)：

Worasawat Suchada

(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan)

Worasawat Suchada

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan)

Neo Yoichiro

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan)

Hatanaka Yoshinori

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan)

Pecharapa Wisanu

(College of Nanotechnology, King Mongkut’s Institute of Technology Ladkrabang, Bangkok, 10520, Thailand)

Mimura Hidenori

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 59 号： 7 ページ： 075505 (8pp) 発行年： 2020年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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