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著者 (13件)：
資料名：
巻： 5 号： 43 ページ： 28108-28115 発行年： 2020年
JST資料番号： W5044A ISSN： 2470-1343 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002245190198545
整理番号：20A2709190
超高真空条件におけるMoS_2電界効果トランジスタデバイスへの塩素の分子ドーピングのその場研究【JST・京大機械翻訳】
In Situ Study of Molecular Doping of Chlorine on MoS2 Field Effect Transistor Device in Ultrahigh Vacuum Conditions
Trung Nguyen Tat
(Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, Japan)
,
Hossain Mohammad Ikram
(Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, Japan)
,
Alam Md Iftekharul
(Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, Japan)
,
Ando Atsushi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Kitakami Osamu
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM, Tagen), Tohoku University, Japan)
,
Kitakami Osamu
(Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Japan)
,
Kikuchi Nobuaki
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM, Tagen), Tohoku University, Japan)
,
Kikuchi Nobuaki
(Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Japan)
,
Takaoka Tsuyoshi
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM, Tagen), Tohoku University, Japan)
,
Sainoo Yasuyuki
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM, Tagen), Tohoku University, Japan)
,
Arafune Ryuichi
(International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Ibaraki, Japan)
,
Komeda Tadahiro
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM, Tagen), Tohoku University, Japan)
,
Komeda Tadahiro
(Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Japan)
資料名：
ACS Omega
(ACS Omega)
巻： 5 号： 43 ページ： 28108-28115 発行年： 2020年
JST資料番号： W5044A ISSN： 2470-1343 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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