文献
J-GLOBAL ID:202002247036054784
整理番号:20A1235650
埋め込まれたFドープSnO2/TiO2接合におけるミッドギャップ界面状態に起因する新しい光反射信号
A new photoreflectance signal possibly due to midgap interface states in buried F-doped SnO2/TiO2 junctions
著者 (4件):
Kobayashi Eiichi
(Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
,
Shimmura Shuhei
(Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
,
Ito Seigo
(Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo, 671-2280, Japan)
,
Makino Takayuki
(Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
SC
ページ:
SCCB23 (5pp)
発行年:
2020年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)