文献
J-GLOBAL ID:202002250910668523
整理番号:20A2096054
低温ポリシリコン薄膜トランジスタを用いたゲートアレイ
Gate Array Using Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors
著者 (4件):
KIMURA Mutsumi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University)
,
KIMURA Mutsumi
(Innovative Materials and Processing Research Center, High-Tech Research Center)
,
INOUE Masashi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University)
,
MATSUDA Tokiyoshi
(Innovative Materials and Processing Research Center, High-Tech Research Center)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻:
E103.C
号:
7
ページ:
341-344(J-STAGE)
発行年:
2020年
JST資料番号:
U0468A
ISSN:
1745-1353
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)