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著者 (8件)：
資料名：
巻： 2019 号： IEDM ページ： 29.6.1-29.6.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002251778365208
整理番号：20A0910402
66MV/DECの低SSと35mV/Vの小さいDIBLを持つ垂直Ge_0.92Sn_0.08/GeとGe GaAナノワイヤnMOSFETの初めての実証【JST・京大機械翻訳】
First Demonstration of Vertical Ge0.92Sn0.08/Ge and Ge GAA Nanowire nMOSFETs with Low SS of 66 mV/dec and Small DIBL of 35 mV/V
Liu Mingshan
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9),Forschungszentrum,Juelich,Germany,52428)
,
Scholz Stefan
(RWTH Aachen University,School of Electrical Engineering,Aachen,Germany,52074)
,
Mertens Konstantin
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9),Forschungszentrum,Juelich,Germany,52428)
,
Bae Jin Hee
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9),Forschungszentrum,Juelich,Germany,52428)
,
Hartmann Jean-Michel
(MINATEC Campus and University of Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France,38054)
,
Knoch Joachim
(RWTH Aachen University,School of Electrical Engineering,Aachen,Germany,52074)
,
Buca Dan
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9),Forschungszentrum,Juelich,Germany,52428)
,
Zhao Qing-Tai
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9),Forschungszentrum,Juelich,Germany,52428)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IEDM ページ： 29.6.1-29.6.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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