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文献
J-GLOBAL ID:202002252484094164   整理番号:20A2241952

フィールドプレートを有するSiC基板上のGaN HEMTにおけるバイアスストレス後のドレイン電流の過渡応答

Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate
著者 (4件):
Ma Qiang
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Yoshida Tomoyo
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Ando Yuji
(Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan)
Wakejima Akio
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 59  号: 10  ページ: 101002 (6pp)  発行年: 2020年10月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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