文献
J-GLOBAL ID:202002256410452438
整理番号:20A0862396
ゾル-ゲル合成ビスマスフェライトナノセラミックの構造および誘電特性に及ぼす遷移金属イオンドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Transition Metal Ion Doping on Structural and Dielectric Properties of Sol-gel Synthesized Bismuth Ferrite Nanoceramics
著者 (4件):
Wani Waseem Ahmad
(BITS-Pilani, Hyderabad Campus,Department of Physics,Hyderabad,India,500078)
,
Ramaswamy Kannan
(BITS-Pilani, Hyderabad Campus,Department of Physics,Hyderabad,India,500078)
,
Venkataraman B. Harihara
(BITS-Pilani, Hyderabad Campus,Department of Physics,Hyderabad,India,500078)
,
Kundu Souvik
(Hyderabad Campus,Department of Electrical and Electronics Engineering BITS-Pilani,Hyderabad,India,500078)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ISAF
ページ:
1-3
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)