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著者 (11件)：
資料名：
巻： 2019 号： EUROSOI-ULIS ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002257601721856
整理番号：20A0874709
DSOI NMOSFETにおける全電離線量応答のTCADシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
TCAD Simulation of Total Ionizing Dose Response on DSOI nMOSFET
Huang Yang
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Han Zhengsheng
(University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Luo Jiajun
(University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Li Binhong
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Cristoloveanu Sorin
(TMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes,France)
,
Li Bo
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Shen Chen
(Cogenda Corporation,Suzhou,China)
,
Song Yanfu
(Cogenda Corporation,Suzhou,China)
,
Wang Lei
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Li Duoli
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
,
Liu Hainan
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences,Beijing,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： EUROSOI-ULIS ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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