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資料名：
巻： 117 号： 5 ページ： 052106-052106-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002259126475842
整理番号：20A1746630
アセチル化ガリウム源溶液を用いたミスト化学蒸着によるサファイア基板上のα-Ga_2O_3の成長機構【JST・京大機械翻訳】
Growth mechanism of α-Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions
Uno Kazuyuki
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Ohta Marika
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
,
Tanaka Ichiro
(Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 5 ページ： 052106-052106-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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