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著者 (6件)：
資料名：
巻： 505 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002265034172621
整理番号：20A0451361
Geと単層GaAsとの相互作用:Ge島核形成から新規安定単分子層の形成まで【JST・京大機械翻訳】
Interaction of Ge with single layer GaAs: From Ge-island nucleation to formation of novel stable monolayers
Sozen Y.
(Department of Photonics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
,
Eren I.
(Department of Physics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
,
Ozen S.
(Department of Photonics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
,
Yagmurcukardes M.
(Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium)
,
Sahin H.
(Department of Photonics, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
,
Sahin H.
(ICTP-ECAR Eurasian Center for Advanced Research, Izmir Institute of Technology, 35430 Izmir, Turkey)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 505 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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