文献
J-GLOBAL ID:202002268604171184
整理番号:20A1691773
金属/絶縁体/金属ナノデバイスにおける抵抗スイッチングの電子的機構【JST・京大機械翻訳】
Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices
著者 (7件):
Raebiger Hannes
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)
,
Raebiger Hannes
(Department of Physics, Yokohama National University, Yokohama, Japan)
,
Padilha Antonio Claudio M
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)
,
Padilha Antonio Claudio M
(Brazillian Nanotechnology National Laboratory (LNNano)/CNPEM, Campinas 13083-970, Brazil)
,
Padilha Antonio Claudio M
(Flextronics Instituto de Tecnologia, Jaguariuna 13918-900, Brazil)
,
Reily Rocha Alexandre
(Instituto de Fisica Teorica, Universidade Estadual Paulista, Sao Paulo, SP, Brazil)
,
Dalpian Gustavo M
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
53
号:
29
ページ:
295302 (9pp)
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)