文献
J-GLOBAL ID:202002269807879651
整理番号:20A0910438
同一フレーク上の共集積サブ熱電子2D/2D WSe_2/SnSe_2垂直トンネルFETとWSe_2MOSFET 2D/2D VDW二重輸送急傾斜FETに向けて【JST・京大機械翻訳】
Co-integrated Subthermionic 2D/2D WSe2/SnSe2 Vertical Tunnel FET and WSe2 MOSFET on same flake: towards a 2D/2D vdW Dual-Transport Steep Slope FET
著者 (4件):
Oliva N.
(EPFL,Nanoelectronic Device Laboratory (NanoLab),Lausanne,Switzerland)
,
Capua L.
(EPFL,Nanoelectronic Device Laboratory (NanoLab),Lausanne,Switzerland)
,
Cavalieri M.
(EPFL,Nanoelectronic Device Laboratory (NanoLab),Lausanne,Switzerland)
,
Ionescu A. M.
(EPFL,Nanoelectronic Device Laboratory (NanoLab),Lausanne,Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IEDM
ページ:
37.2.1-37.2.4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)