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資料名：
巻： 59 号： SM ページ： SMMB02 (9pp) 発行年： 2020年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002270080356465
整理番号：20A1236065
強誘電体ゲート絶縁体TFT用に溶液プロセスで作製したイットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム薄膜の電気特性
Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application
Mohit
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
,
Haga Ken-ichi
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
,
Tokumitsu Eisuke
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： SM ページ： SMMB02 (9pp) 発行年： 2020年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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