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J-GLOBAL ID:202002270135398388   整理番号:20A1486806

無効電力補償のための3.3kV SiC-MOSFETモジュールを用いた6.6kV 200kVA無変圧器SDBCベースSTATCOMの性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of the 6.6-kV 200-kVA Transformerless SDBC-Based STATCOM Using 3.3-kV SiC-MOSFET Modules for Reactive-Power Compensation
著者 (7件):
Tajyuta Toshihisa
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Corporate R&D Headquarters,Hino-city, Tokyo,Japan)
Maharjan Laxman
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Corporate R&D Headquarters,Hino-city, Tokyo,Japan)
Maruyama Koji
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Corporate R&D Headquarters,Hino-city, Tokyo,Japan)
Toba Akio
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Corporate R&D Headquarters,Hino-city, Tokyo,Japan)
Suzuki Akio
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Power Electronics Systems,Ichihara-city, Chiba,Japan)
Shinohara Hiroshi
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Power Electronics Systems,Ichihara-city, Chiba,Japan)
Kaneko Tomomi
(FUJI ELECTRIC CO., LTD.,Power Electronics Systems,Ichihara-city, Chiba,Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2020  号: APEC  ページ: 2297-2302  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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