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J-GLOBAL ID：202002272595781994 整理番号：20A1884093

80MeVのXeイオンを照射したGdBCO被覆導体における方向性依存形態の柱状欠陥による強い磁束ピン止め

Strong flux pinning by columnar defects with directionally dependent morphologies in GdBCO-coated conductors irradiated with 80 MeV Xe ions

著者 (10件)：

Sueyoshi Tetsuro

(Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan)

Kotaki Tetsuya

(Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan)

Furuki Yuichi

(Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan)

Fujiyoshi Takanori

(Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan)

Semboshi Satoshi

(Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan)

Ozaki Toshinori

(Kwansei Gakuin University, 2-1 Gakuen, Sanda, Hyogo 669-1337 Japan)

Sakane Hitoshi

(SHI-ATEX Co., Ltd., 1501, Imazaike, Saijo-shi, Ehime, 799-1393, Japan)

Kudo Masaki

(Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Yasuda Kazuhiro

(Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Ishikawa Norito

(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Tokai-mura, Ibaraki 319-1195, Japan)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 59 号： 2 ページ： 023001 (7pp) 発行年： 2020年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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