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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2019 号： 3DIC ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002272920761808
整理番号：20A0950882
Siウエハ接合プロセスのためのSiO_2上のMn障壁層の光電子顕微鏡研究【JST・京大機械翻訳】
Photoelectroscopic Study of Mn Barrier Layer on SiO2 for Si Wafer Bonding Process
Nagata Takahiro
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science,Tsukuba,Japan)
,
Tsumura Kazumichi
(Corporate Research & Development Center, Toshiba corporation,Kawasaki,Japan)
,
Nakamura Kenro
(Corporate Research & Development Center, Toshiba corporation,Kawasaki,Japan)
,
Uchida Kengo
(Corporate Research & Development Center, Toshiba corporation,Kawasaki,Japan)
,
Kawakita Jin
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science,Tsukuba,Japan)
,
Chikyow Toyohiro
(National Institute for Materials Science,Research and Services Division of Materials Data and Integrated System,Tsukuba,Japan)
,
Higashi Kazuyuki
(Corporate Research & Development Center, Toshiba corporation,Kawasaki,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： 3DIC ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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