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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2019 号： 3DIC ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002275192556532
整理番号：20A0950926
ゲルマニウム-オン-絶縁体基板におけるストレスまたはとして使用されるSiN【JST・京大機械翻訳】
SiN used as a Stressor in Germanium-On-Insulator Substrate
Duangchan Sethavut
(King Mongkut’s University of Technology North Bangkok,Department of Industrial Physics and Medical Instrumentation,Bangkok,Thailand)
,
Yamamoto Keisuke
(Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University,Fukuoka,Japan)
,
Wang Dong
(Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University,Fukuoka,Japan)
,
Nakashima Hiroshi
(Global Innovation Center, Kyushu University,Fukuoka,Japan)
,
Baba Akiyoshi
(Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology,Fukuoka,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： 3DIC ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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