Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (7件)：
資料名：
巻： 2019 号： IPFA ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202002275851845972
整理番号：20A0495727
走査型非線形誘電顕微鏡に基づくSi/SiC MOSFETの同時2Dキャリア極性(DC/DC)と密度(DC/DC)分布測定【JST・京大機械翻訳】
Simultaneous 2D carrier polarity (dC/dV) and density (dC/dz) distribution measurement of Si/SiC MOSFET based on scanning nonlinear dielectric microscopy
Yamaoka T.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Application Development Dept,Takatsu-ku, Kawasaki-shi,Japan,213-0012)
,
Aiso T.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Application Development Dept,Takatsu-ku, Kawasaki-shi,Japan,213-0012)
,
Watanabe K.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Shikakura Y.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Ueno T.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Tamura K.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Marketing Dept,NishiShimbashi, Tokyo,Japan,227-0033)
,
Mizuguchi K.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Marketing Dept,NishiShimbashi, Tokyo,Japan,227-0033)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IPFA ページ： 1-5 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。