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文献
J-GLOBAL ID:202002276563286433   整理番号:20A0131748

トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs
著者 (21件):
渡辺正裕
(東京工大)
執行直之
(東京工大)
星井拓也
(東京工大)
古川和由
(東京工大)
角嶋邦之
(東京工大)
佐藤克己
(三菱電機)
末代知子
(東芝デバイス&ストレージ)
更屋拓哉
(東大 生産技研)
高倉俊彦
(東大 生産技研)
伊藤一夫
(東大 生産技研)
福井宗利
(東大 生産技研)
鈴木慎一
(東大 生産技研)
竹内潔
(東大 生産技研)
宗田伊里也
(東京工大)
若林整
(東京工大)
中島昭
(産業技術総合研)
西澤伸一
(九大)
筒井一生
(東京工大)
平本俊郎
(東大 生産技研)
大橋弘通
(東京工大)
岩井洋
(東京工大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 119  号: 273(SDM2019 68-79)  ページ: 45-48  発行年: 2019年10月31日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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