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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2019 号： GCCE ページ： 81-82 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002277968213306
整理番号：20A0830704
HV60V N/PLDMOSデバイスにおけるドレイン側ヘテロ接合デバイス添加のESDイミュニティへの影響【JST・京大機械翻訳】
ESD Immunity Impacts of the Drain-Side Heterojunction Device Addition in HV 60 V n/pLDMOS Devices
Fan Sheng-Kai
(National United University,Department of Electronic Engineering)
,
Chen Shen-Li
(National United University,Department of Electronic Engineering)
,
Jhou Yu-Lin
(National United University,Department of Electronic Engineering)
,
Wu Pei-Lin
(National United University,Department of Electronic Engineering)
,
Lin Po-Lin
(National United University,Department of Electronic Engineering)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： GCCE ページ： 81-82 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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