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文献
J-GLOBAL ID:202002278694022281   整理番号:20A1884321

ダイヤモンド垂直型Schottky障壁ダイオードにおけるキラー欠陥の抑制

Suppression of killer defects in diamond vertical-type Schottky barrier diodes
著者 (6件):
Kobayashi Atsushi
(Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
Kobayashi Atsushi
(Department of Chemical Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
Ohmagari Shinya
(Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
Umezawa Hitoshi
(Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
Takeuchi Daisuke
(Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
Saito Takeyasu
(Department of Chemical Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 59  号: SG  ページ: SGGD10 (4pp)  発行年: 2020年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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