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文献
J-GLOBAL ID:202002283817262844   整理番号:20A2237698

不揮発性メモリ用Cr2Ge2Te6相変化材料の局所構造の解明

Understanding local structure of Cr2Ge2Te6 phase change material for non-volatile memory application
著者 (11件):
畑山祥吾
(東北大 工)
YI Shuang
(東北大 工)
FONS Paul
(AIST)
FONS Paul
(JASRI)
齊藤雄太
(AIST)
KOLOBOV Alexander V.
(AIST)
KOLOBOV Alexander V.
(ゲルツェン大)
小林啓介
(高知大)
進藤怜史
(東北大 工)
安藤大輔
(東北大 工)
須藤祐司
(東北大 工)

資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.13p-A201-3  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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