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著者 (4件)：
資料名：
巻： 31 号： 32 ページ： 325201 (13pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002284331258198
整理番号：20A1692281
データ蓄積応用のための酸素空孔リッチ酸化ジルコニウム層挿入によるTiO_2ベース素子の負集合挙動の消去【JST・京大機械翻訳】
Eradicating negative-Set behavior of TiO2-based devices by inserting an oxygen vacancy rich zirconium oxide layer for data storage applications
Ismail Muhammad
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, Republic of Korea)
,
Hashmi Arqum
(Center for Computational Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577, Japan)
,
Rana Anwar Manzoor
(Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan)
,
Kim Sungjun
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 31 号： 32 ページ： 325201 (13pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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