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著者 (6件)：
資料名：
巻： 109 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002285304199758
整理番号：20A0479890
ZnO/p-Siヘテロ接合の形態的および電気的性質の研究:室温における低濃度エタノール蒸気の検出効率への応用【JST・京大機械翻訳】
Study of morphological and electrical properties of the ZnO/p-Si hetero-junction: Application to sensing efficiency of low concentration of ethanol vapor at room temperature
Tata S.
(Department of Materials & Compounds, Faculty of Physics, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
,
Chabane L.
(Department of Materials & Compounds, Faculty of Physics, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
,
Zebbar N.
(Department of Materials & Compounds, Faculty of Physics, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
,
Trari M.
(Laboratory of Storage and Valorization of Renewable Energies, Faculty of Chemistry, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
,
Kechouane M.
(Department of Materials & Compounds, Faculty of Physics, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
,
Rahal A.
(Department of Materials & Compounds, Faculty of Physics, USTHB, BP 32, 16111, Algiers, Algeria)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 109 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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