文献
J-GLOBAL ID:202002287269933109
整理番号:20A1484316
Hall効果を用いた非晶質金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるキャリア移動度の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor Using Hall Effect
著者 (3件):
Imanishi Kota
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
,
Matsuda Tokiyoshi
(High-Tech Research Center, Ryukoku University, Otsu, Japan)
,
Kimura Mutsumi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
41
号:
7
ページ:
1025-1028
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)