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著者 (9件)：
資料名：
巻： 9 号： 47 ページ： e1902869 発行年： 2019年
JST資料番号： W2778A ISSN： 1614-6832 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002290524446371
整理番号：20A0130659
全乾式プロセスにより作製したCdフリー太陽電池の光起電力性能に及ぼすCu(In,Ga)(S,Se)_2吸収体のエージング効果 そのキャリア再結合解析【JST・京大機械翻訳】
Aging Effect of a Cu(In,Ga)(S,Se)2 Absorber on the Photovoltaic Performance of Its Cd-Free Solar Cell Fabricated by an All-Dry Process: Its Carrier Recombination Analysis
Chantana Jakapan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
,
Nishimura Takahito
(Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
,
Kawano Yu
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
,
Suyama Naoki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan)
,
Yamada Akira
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan)
,
Kimoto Yoshinori
(Atsugi Research Center, Advanced Technology Research Laboratories, Idemitsu Kosan Co.,Ltd., Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Kato Takuya
(Atsugi Research Center, Advanced Technology Research Laboratories, Idemitsu Kosan Co.,Ltd., Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Sugimoto Hiroki
(Atsugi Research Center, Advanced Technology Research Laboratories, Idemitsu Kosan Co.,Ltd., Atsugi, Kanagawa, 243-0206, Japan)
,
Minemoto Takashi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
資料名：
Advanced Energy Materials
(Advanced Energy Materials)
巻： 9 号： 47 ページ： e1902869 発行年： 2019年
JST資料番号： W2778A ISSN： 1614-6832 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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