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著者 (13件)：
資料名：
巻： 2019 号： IEDM ページ： 28.3.1-28.3.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202002290608848171
整理番号：20A0819034
3Dフラッシュメモリにおける垂直単結晶Siチャネルのための金属支援固相結晶化プロセス【JST・京大機械翻訳】
Metal-Assisted Solid-Phase Crystallization Process for Vertical Monocrystalline Si Channel in 3D Flash Memory
Miyagawa Hidenori
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Fujiwara Makoto
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Mitani Yuichiro
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Obu Tomoyuki
(Western Digital Corporation,Yokkaichi,Japan)
,
Aochi Hideaki
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Kusai Haruka
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Takaishi Riichiro
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Kawai Tomoya
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Kamimuta Yuuichi
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Murakami Toshiya
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Ariyoshi Keiko
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Asano Takanori
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
,
Goto Masakazu
(Kioxia Corporation,Institute of Memory Technology Research & Development,Yokkaichi,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IEDM ページ： 28.3.1-28.3.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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