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J-GLOBAL ID：202002291155103297 整理番号：20A1884560

ヘテロトンネル接合を有する二層トンネル電界効果トランジスタのためのソースエンジニアリング:厚さと不純物濃度

Source engineering for bilayer tunnel field-effect transistor with hetero tunnel junction: thickness and impurity concentration

著者 (7件)：

Kato Kimihiko

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)

Kato Kimihiko

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)

Mori Takahiro

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)

Morita Yukinori

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)

Matsukawa Takashi

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)

Takenaka Mitsuru

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)

Takagi Shinichi

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)

資料名：

Applied Physics Express (Applied Physics Express)

巻： 13 号： 7 ページ： 074004 (5pp) 発行年： 2020年07月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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