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文献
J-GLOBAL ID:202102223048111132   整理番号:21A0435783

マイクロエレクトロニクスパッケージング応用のためのカーボンナノチューブ-Cu複合材料に基づくCuレベル電気伝導率とSiレベル熱膨張を有するスルーシリコンビアインターポーザ【JST・京大機械翻訳】

Through-Silicon-Via Interposers with Cu-Level Electrical Conductivity and Si-Level Thermal Expansion Based on Carbon Nanotube-Cu Composites for Microelectronic Packaging Applications
著者 (5件):
Chen Guohai
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
Sundaram Rajyashree
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
Sekiguchi Atsuko
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
Hata Kenji
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
Futaba Don N.
(CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)

資料名:
ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)

巻:号:ページ: 869-876  発行年: 2021年 
JST資料番号: W5033A  ISSN: 2574-0970  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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