文献
J-GLOBAL ID:202102224546738227
整理番号:21A0151653
TCADシミュレーションによる電界変調に基づくデュアルゲートIGZOソースゲートトランジスタ【JST・京大機械翻訳】
A dual-gate IGZO Source-Gated transistor based on field modulation by TCAD simulation
著者 (4件):
Li Ni
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University,Shenzhen,China,518055)
,
Rong Zhao
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University,Shenzhen,China,518055)
,
Zhang Lining
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University,Shenzhen,China,518055)
,
Zhang Min
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University,Shenzhen,China,518055)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)