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J-GLOBAL ID：202102238975536011 整理番号：21A0463198

負に帯電した酸素イオンの照射後のSnドープIn_2O_3膜のキャリア濃度とバンドギャップのエンジニアリングの調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring of carrier concentration and engineering of band gap for Sn-doped In₂O₃ films by postirradiation of negatively charged oxygen ions

著者 (6件)：

Furubayashi Yutaka

(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)

Maehara Makoto

(Industrial Equipment Division, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 5-2 Soubiraki-cho, Niihama 792-8588, Japan)

Kitami Hisashi

(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)

Kitami Hisashi

(Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan)

Sakemi Toshiyuki

(Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan)

Yamamoto Tetsuya

(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)

資料名：

Journal of Physics. D. Applied Physics (Journal of Physics. D. Applied Physics)

巻： 54 号： 14 ページ： 145110 (12pp) 発行年： 2021年
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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