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文献
J-GLOBAL ID:202102276521025710   整理番号:21A1812210

セルピッチ低減と内部抵抗最適化による1.2kV級SBD埋め込みSiC MOSFETの比オン抵抗と短絡抵抗トレードオフの改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the specific on-resistance and short-circuit ruggedness tradeoff of 1.2-kV-class SBD-embedded SiC MOSFETs through cell pitch reduction and internal resistance optimization
著者 (8件):
Kono Hiroshi
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Asaba Shunsuke
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Ohashi Teruyuki
(Toshiba Corporation,Corporate Research & Development Center,Kawasaki,Japan)
Ogata Takahiro
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Furukawa Masaru
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Sano Kenya
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Yamaguchi Masakazu
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)
Suzuki Hisashi
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2021  号: ISPSD  ページ: 227-230  発行年: 2021年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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